时间：2026-10-09 13:30
举办地点：集成电路学院 420会议室
内容：
随着DRAM持续微缩，电容器介质需要在极薄尺度下同时满足高介电常数、低漏电流和高可靠性等要求。HfxZr1-xO2（HZO）体系具有丰富的晶相结构和较强的缺陷敏感性，为高κ介质的性能调控提供了新的材料基础。本报告围绕HZO高κ介质中的“结构—缺陷—性能”关系，介绍从成分调控向空间调控发展的研究思路，重点讨论如何借助原子层沉积、界面工程，在纳米尺度上调节元素分布、氧空位、界面化学及晶相构型，并结合结构表征、电学测试和理论计算揭示其作用机制。
主办单位：
科技处、集成电路学院
主讲人：
李东栋，研究员，张江实验室原子制造研究所执行所长。近年来关注光电功能材料和器件中表界面特性、光/电子传输等共性科学问题，通过薄膜材料的原子级制造、缺陷和界面调控，系统探索提升器件性能的有效路径。参与编写英文专著2部，发表SCI论文150余篇，入选科睿唯安2024年度全球“高被引科学家”，获国家优秀青年科学基金、上海市启明星计划等学术荣誉。
