时间：2026-07-22 08:30
举办地点：产教融合楼209
内容：
本报告针对功率半导体器件在安全工作区（SOA）外的失效问题，揭示器件击穿前局部区域电流聚集与高电流密度的本质；指出传统一维热模型结合单一SPICE模型、假设电流均匀分布的仿真方法在SOA外工况下的局限；提出更精细的电-热耦合建模方法，并介绍发射显微、光致发光、锁相热成像等创新表征技术。
主办单位：
科技处、电气与能源工程学院
主讲人：
Giovanni Breglio，1994年获电子工程博士学位，现任那不勒斯费德里科二世大学电子工程正教授，自2000年起任OptoPowerLab（光电子与功率器件表征）实验室主任。主讲"电信电子学"与"集成光子学"课程，已指导博士生十余名；长期与博世、意法半导体、CERN等机构合作主持科研项目，创立Optosmart、Optoadvance两家科技校企，拥有国内外专利11项，曾任ICSCRM 2023大会联合主席，并担任IEEE SENSORS、ISPSD、ESREF等多个国际会议学术委员会委员。
