时间：2025-11-20 16:10
举办地点：E教303
内容：
氮化镓技术前沿与工程师成长之路
氮化镓（GaN）作为第三代半导体核心材料，凭借宽禁带、高击穿电场及优异热稳定性，成为突破硅基器件性能瓶颈的关键。其晶体结构赋予2000cm²/V·s高电子迁移率，使器件在高频高压场景下能量损耗降低60%以上，应用已贯穿消费电子、新能源汽车、5G基站、AI算力中心等领域——从迷你化氮化镓快充头到车载功率模块，从毫米波通信器件到航空航天耐高温组件，正重构全球半导体产业格局。
这一类技术的持续突破，离不开高校科学研究，也离不开工程师理念的深度赋能。欧洲半导体领域以“技术传承与创新共生”为核心，形成了较为开放包容的生态：强调基础研究与工程实践深度融合，注重跨学科协作与长期主义研发，通过师徒制言传身教传递严谨思维与实操经验，同时鼓励试错文化与自由探索。这种理念孕育了IMEC、Fraunhofer、CNRS等顶尖产教融合机构，推动异构集成等前沿方向不断突破，更培养了大批兼具科学素养与工程能力的复合型人才，为技术落地与产业升级提供了核心支撑。
主办单位：
电子信息学院
主讲人：
黄永，江西万年晶半导体有限公司副总经理。主管业务：氮化镓晶圆生产、工程、研发及项目申报等。牵头项目：GaN 基新型器件。
